退火温度对非晶掺硅氧化锡半导体薄膜特性影响

作者：刘贤哲; 陈建秋; 蔡炜; 胡诗犇; 陶瑞强; 曾勇; 郑泽科; 姚日晖; 徐华; 徐苗; 兰林锋; 王磊; 宁洪龙; 彭俊彪

来源：中国,广东省,广州市.

• STO薄膜
• 非晶氧化物半导体
• 磁控溅射
• 退火
• 迁移率

　　采用磁控溅射法制备非晶掺硅氧化锡(STO)薄膜,用XRD、AFM、Hall 等测试对薄膜进行表征,研究了沉积温度和退火温度对其电学、光学性能的影响.研究结果表明,STO 薄膜在不同退温度下保持非晶结构,具有表面光滑、缺陷少和高致密度的特点.STO 薄膜在不同温度退火,存在两种机制影响迁移率.非晶薄膜导带底分布着一定的势垒,当退火温度小于150℃时,薄膜内存在热激发,载流子将越过势垒进行渗透传导,Hall 迁移率随着载流子浓度的提高而增加；当退火温度达到250℃时,载流子浓度急剧升高,离子化散射增加,导致Hall 迁移率降低.当退火温度高于250℃时,由于薄膜相对致密度升高104.7％,粗糙度降低88％,形成高质量薄膜,使Hall 迁移率增加.

• 单位
  华南理工大学