基于金属辅助化学刻蚀的太赫兹高度差腔体器件的制备方法

作者：黄文; 孙颜; 汪司琪; 刘广儒; 桑磊

来源：2022-08-30, 中国, ZL202211055208.4.

本发明涉及基于金属辅助化学刻蚀的太赫兹高度差腔体器件的制备方法,属于微纳米器件技术领域。操作步骤：(1)在硅衬底片上金属辅助化学刻蚀出第一矩形槽、四个十字对准标记槽和第二矩形槽图案；(2)在硅衬底片上金属辅助化学刻蚀出二个以上矩形腔体和四个十字对准凹槽；(3)ICP制作出深度相同的三个以上腔体结构；(4)去除二氧化硅层,得到深度相同、隔壁高度不同的三个以上矩形谐振腔；(5)在矩形谐振腔表面均匀溅射金层,通过键合金层将新硅晶圆片键合在硅衬底片上,得到具有高度差异太赫兹空气腔体的结构件。用于制作滤波器的公差为5～30nm、垂直度为89°～90°、侧壁粗糙度小于10nm,使滤波器中心频带在太赫兹频段减少偏移。

• 单位
  合肥工业大学