摘要
目的探讨硫酸锰对三种离体培养脑细胞及两种细胞模型的毒性损伤。方法体外分离培养神经胶质细胞、脑微血管内皮细胞(BMECs)及海马神经元并建立神经血管单元模型(NVU)和单层BMECs模型。分别以125、250、500、1 000、2 000和4 000μmol/L硫酸锰进行细胞毒性试验,观察125、250、500和1 000μmol/L硫酸锰对细胞内钙离子浓度影响。结果与对照组比较,离体培养的三种脑细胞的细胞活性随染毒剂量的升高而降低,差异具有统计学意义(P<0.05);两种细胞模型海马神经元细胞活性无明显变化(P>0.05)。随染毒剂量的升高,海马神经元从500μmol/L开始,神经胶质细胞和BMECs从125μmol/L开始细胞内Ca2+浓度高于对照组,差异均具有统计学意义(P<0.05);250和1 000μmol/L硫酸锰染毒组BMECs模型海马神经元Ca2+浓度高于对照组(P<0.05),而NVU模型无明显变化。结论硫酸锰对本次体外培养的三种脑细胞具有损伤作用。锰能够激活钙离子流,可能进而激活相关的细胞转导通路。BMECs与NVU的屏障作用可以降低锰对海马神经元的细胞毒性作用,NVU的屏障作用更显著。
-
单位中国疾病预防控制中心环境与健康相关产品安全所