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摘要
锗硅异质结双极晶体管(SiGe Heterojunction Bipolar Transistor, SiGe HBT)由于其优异的温度和频率特性，在航空航天等极端环境中具有良好的使用前景，其辐射效应得到了广泛关注。针对KT9041 SiGe HBT进行了瞬时γ射线及脉冲激光辐照实验，获得其瞬时剂量率效应(Transient Dose Rate Effect, TDRE)响应。实验结果表明，SiGe HBT收集极在辐照下会产生明显的光电流脉冲，并且存在着饱和阈值的现象。此外，在脉冲激光辐照实验中还进行了SiGe HBT总剂量效应与瞬时剂量率效应的协同效应研究。发现SiGe HBT在经过总剂量辐照后其产生的光电流幅值会变大。为了分析实验中观察到的现象，应用TCAD建立了KT9041 SiGe HBT的仿真模型，并进行了瞬时γ射线辐照以及总剂量效应仿真研究。仿真发现，SiGe HBT收集极光电流出现的饱和现象是由示波器端口50Ω匹配电阻所造成的。而总剂量效应导致的光电流幅值变大则是由于总剂量效应会在SiGe HBT收集极电极处的Si/SiO2界面引入正电荷缺陷，正电荷缺陷产生的局部电场会对自由电子产生吸引作用，导致更多的自由电子被收集极收集，从而产生幅值更大的光电流。
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