基于GaN HEMT F类功率放大电路设计

作者：刘多伟; 程飞; 黄卡玛

来源：电子制作, 2022, 30(12): 9-12.

DOI：10.16589/j.cnki.cn11-3571/tn.2022.12.006

• 负载牵引
• GaN HEMT
• 高效率
• F类功率放大器

本文基于一款商用GaN HEMT功率器件设计了一款工作在2.45GHz的高效F类功率放大器。该电路的设计利用负载牵引—源牵引仿真技术的方法，确定基波的最佳功率和最佳效率阻抗区域。输出匹配网络在功率器件电流源面对二次谐波短路，对三次谐波开路。另外，为该放大器设计了一款时序保护电路，可提供栅极电压-2.7V，漏极电压28V。仿真结果显示，在2.45GHz时，饱和输出功率为44.17dBm，功率附加效率为73.1%，增益14.1dB。可以应用于微波无线能量传输、微波加热等领域。

• 单位
  四川大学