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摘要
光刻技术是半导体集成电路技术发展的主要推动技术，其不断提高的分辨率与图形复制精度成功地将集成电路制造线宽从40多年前的2～3μm缩小到先进的10～15 nm。在发展过程中，众多先进的技术不断涌现，如投影式光刻、相移掩模版、化学放大型光刻胶、光学邻近效应修正等，及时确保了摩尔法则按时向前推进。以投影光刻发展的历史为主线，从0.25μm到当今的5 nm再到未来的先进技术节点，对每个关键的技术节点的工艺要求与工艺窗口进行分析，包括采用的新技术及其作用，以展示光刻工艺与相关技术的整体面貌，给读者专业技术的参考。
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