铁电场效应晶体管（FeFET）作为最有潜力的下一代非易失性存储器之一，引起研究人员的广泛关注。本文系统阐述了Fe FET的工作原理及结构设计，介绍了Fe FET结构中铁电材料和缓冲层材料的探索历程及所对应的器件性能。本文提出了一种新型Fe FET结构设计，有望改善薄膜之间的界面效应。最后总结了Fe FET的研究进展，并对未来研究做出展望。
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