摘要
针对传统可变通记忆电机(variable flux memory machine,VFMM)电磁转矩性能低的问题,提出了一种新型双齿可变磁通记忆电机。首先介绍了新型双齿VFMM的拓扑结构和工作原理;随后应用2-D有限元分析方法,对比分析了新型双齿VFMM与传统单齿VFMM在低矫顽力(low coercive force,LCF)永磁体处于不同磁化状态下的空载特性,并对比了增磁状态下的电磁转矩;最后分析了双齿VFMM的转矩/转速和功率/转速特性。相对于传统单齿的可变磁通记忆电机而言,双齿可变磁通记忆电机的调磁系数增加了1倍多,相同电流下的电磁转矩提高了21.8%。结果表明:新型双齿VFMM具有良好的调磁性能和较大的输出转矩能力。
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