一种具有埋入式栅极结构的金属氧化物薄膜晶体管的制作方法

作者：徐苗; 罗东向; 王磊; 兰林锋; 彭俊彪

来源：2012-03-13, 中国, CN201210066826.9.

本发明公开了一种具有埋入式栅极结构的金属氧化物薄膜晶体管的制作方法,其包括以下制作步骤：在透明衬底上沉积一层缓冲层；在缓冲层上沉积金属单质或金属合金薄膜；沉积填充层,将栅极金属层完全覆盖；利用栅极金属层进行自掩膜处理,暴露出所述栅极金属层的上表面；使用阳极氧化的方法,在所述栅极金属层上制备一层绝缘膜作为栅绝缘层；阳极氧化完毕后将光刻胶去除；使用刻蚀方法将薄膜晶体管中不需要的金属引线去除。在栅绝缘层上采用物理气相沉积法制备金属氧化物薄膜。本发明的方法不需要增加光刻掩模板,工艺简单并容易实现,适用于基于金属氧化物薄膜晶体管,大尺寸、高分辨率、高刷新频率的驱动面板的制作,具有重要的产业应用价值。

• 单位
  广州新视界光电科技有限公司; 华南理工大学