超临界流体改善IGZO薄膜晶体管光电特性研究

作者：董礼; 王明格; 张冠张^*

来源：电子元件与材料, 2023, 42(01): 63-68.

DOI：10.14106/j.cnki.1001-2028.2023.1392

• 薄膜晶体管
• 超临界流体
• 缺陷
• 迁移率
• 光电特性

随着高速、高分辨率、全透明的显示技术不断发展，对全透明薄膜晶体管(Thin-Film Transistor, TFT)的电学和光学性能均提出了更高的要求。首先在玻璃衬底上制备了以非晶铟镓锌氧化物(Amorphous Indium-Gallium-Zinc Oxide, a-IGZO)为有源层、铟锡氧化物(Indium Tin Oxide, ITO)为电极的全透明薄膜晶体管。并以低温环保的超临界流体技术进一步改善器件特性，超临界流体具有高溶解和高渗透性，可进入器件内部，修复材料中的断键，消除器件的缺陷，进而提升器件综合性能。实验结果表明，处理后器件的亚阈值摆幅从451.44 mV/dec下降至231.56 mV/dec,载流子迁移率从8.57 cm2·V-1·s-1增至10.46 cm2·V-1·s-1,电流开关比提升了一个数量级。此外，超临界处理后器件的光电应力稳定性和光学透明度均得到有效改善。

• 单位
  中国电子科技集团公司; 北京大学深圳研究生院