化学气相沉积法制备β-Ga2O3纳米结构及其缺陷发光性质研究

作者：薛金玲; 马剑钢

来源：发光学报, 2017, 38(10): 1273-1279.

• 化学气相沉积
• β-Ga2O3
• 阴极射线发光
• 氧空位

利用化学气相沉积法(CVD),在不同压强下分别得到β-Ga2O3纳米线(NWs)和纳米带(NBs)。研究结果表明,获得的NWs与NBs均为单斜结构的β-Ga2O3,且NWs结晶质量优于NBs。在阴极射线发光(CL)光谱中,发现NWs与NBs在近紫外和蓝光波段有较强的发光。对比NWs与NBs的CL光谱,推断β-Ga2O3在374 nm和459 nm的近紫外和蓝色发光峰分别来自于Ⅰ型和Ⅱ型氧空位(VO(I)和VO(Ⅱ))的缺陷复合。

• 单位
  东北师范大学