针对20 μm及以下间距的微凸块工艺缺陷检测的研究方法

作者：M.Liebens; J.Slabbekoorn; A.Miller; E.Beyne; M.Stoerring; S.Hiebert; A.Cross

来源：电子工业专用设备, 2018, 47(05): 13-36.

<正>随着3D硅通孔(TSV)器件封装技术进入产量提升阶段,3D堆叠工艺集成流程的表征变得至关重要。为了达到更高的互连密度,微凸块间距的尺寸已经缩小到20μm甚至更小。为了实现芯片与芯片以及芯片与晶圆的垂直堆叠,微凸块工艺控制必需具备高精度以及良好的重复性(见图1)[1]。