脉冲激光沉积GaN薄膜的研究进展

作者：刘作莲; 王文樑; 杨为家; 林云昊; 钱慧荣; 周仕忠; 李国强

来源：半导体光电, 2014, 35(04): 567-620.

DOI：10.16818/j.issn1001-5868.2014.04.001

• GaN薄膜
• 脉冲激光沉积
• 外延生长

脉冲激光沉积(PLD)技术凭借其低温生长优势,逐步在GaN薄膜外延领域得到广泛应用。回顾了近年来PLD技术外延生长GaN薄膜的研究进展,包括新型衬底上的GaN薄膜外延研究进展,以及作为克服异质外延的重要手段——缓冲层技术的发展现状。从目前的研究进展可以看出,应用PLD技术制备GaN薄膜及其光电器件具有广阔的发展前景。

• 单位
  材料学院; 华南理工大学