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摘要
利用InP基共振隧穿二极管(RTD)和加载硅透镜的片上天线设计实现了超过1 THz的振荡器。采用Silvaco软件对RTD模型进行仿真研究，分析了不同发射区掺杂浓度、势垒层厚度、隔离层厚度以及势阱层厚度等对器件直流特性的影响规律。对研制的RTD器件直流特性测试显示：峰值电流密度Jp为359.2 kA/cm2，谷值电流密度Jv为135.8 kA/cm2，峰谷电流比PVCR为2.64，理论计算得到的器件最大射频输出功率和振荡频率(fmax)分别为1.71 mW和1.49 THz。利用透镜封装的形式对采用Bow-tie片上天线和RTD设计的太赫兹振荡器进行封装，测试得到振荡频率超过1 THz，输出功率为2.57μW，直流功耗为8.33 mW，是国内首次报道超过1 THz的振荡器。
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