Ag NWs@SH-GO复合透明导电薄膜的制备与电学性能

作者：王迪; 陈义川; 胡跃辉^*; 张志秦; 高皓; 刘辉文; 高友良

来源：陶瓷学报, 2021, 42(05): 788-794.

DOI：10.13957/j.cnki.tcxb.2021.05.010

• 巯基化石墨烯
• 透明导电薄膜
• 电学性能稳定性

针对银纳米线透明导电薄膜(Ag NWs-TCFs)电阻高、电学稳定性差的问题,利用巯基乙胺的巯基与氧化石墨烯枝接,自组装成巯基化氧化石墨烯(SH-GO),并通过SH-GO官能团与Ag NWs结合,制备了Ag NWs@SH-GO复合透明导电薄膜。结果显示,当SH-GO浓度为3 mg/mL时,Ag NWs@SH-GO复合透明导电薄膜的方块电阻为8.6Ω/sq,光透过率大于85%(波长550 nm);将其置于空气中60d后,方块电阻增加率仅为8.66%,表现出优异的环境稳定性;将样品弯曲1000次以后,方块电阻低于50.0Ω/sq,具有良好的机械抗弯曲性能。

• 单位
  景德镇陶瓷大学; 电子工程学院