本发明公开了一种全MOSFET管低温漂、自校准的带隙基准电路系统,包括：启动电路、VCTAT产生电路、VPTAT产生电路、高温补偿电路、低温补偿电路,其中,自启动电路用于启动带隙基准电路系统,VPTAT产生电路用于产生正温度系数的电压,VCTAT产生电路用于产生负温度系数的电压,温度补偿电路包括高温补偿电路和低温补偿电路,并用于对带隙基准电路系统在高低温度时的输出电压进行补偿。本发明能使得带隙基准电路在一个较大的温度范围内实现高精度低功耗。
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