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摘要
基于一款带错误检测与纠正（EDAC）功能的65 nm体硅CMOS SRAM，开展了中能质子对纳米级集成电路单粒子效应影响的研究。在SRAM本征工作模式和EDAC模式下，得到了2组试验结果。分析试验数据发现：在重离子与中能质子试验中，采用商用6T设计规则的电路均未发生单粒子闩锁现象，但都发生了单粒子多位翻转现象；质子单粒子效应引起的错误数已饱和，而重离子单粒子效应引起的错误数则随能量不断增加，该现象与2种粒子引起单粒子效应的机理有关。质子与重离子饱和截面的差异是由质子核反应的概率导致的，但空间错误率相近。此次试验很好地探索了中能质子对SRAM电路的影响，明确了质子与重离子导致单粒子错误的异同，为SRAM在航天上的应用奠定了基础。
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单位中国电子科技集团公司第五十八研究所; 中国原子能科学研究院
