场助光电阴极研究进展

作者：岳江楠; 李禹晴; 陈鑫龙; 徐鹏霄; 邓文娟; 彭新村; 邹继军^*

来源：光电子技术, 2022, 42(04): 248-253+266.

DOI：10.19453/j.cnki.1005-488x.2022.04.002

• 场助光电阴极
• 转移电子光电阴极
• 铟镓砷
• 磷化铟

对场助光电阴极的发展进行回顾，介绍了场助光电阴极的工作原理，系统总结了三种具有代表性的阴极结构，分别是InP/InGaAsP/InP、InP/InGaAs、InGaAs/InAsP/InP光电阴极。InP/InGaAsP/InP双异质结结构是场助光电阴极研究的热点，这种结构大多用于长波阈值达到1.3μm的场助光电阴极；InGaAs异质结结构相对于其他结构具有很高的灵敏度，响应时间快，有利于在条纹变像管中应用；InGaAs/InAsP/InP结构的光电阴极在InP和InGaAs之间提供一层InAsP渐变层，对延长波长阈值非常有利，通过分析不同结构的特点及应用，讨论了场助光电阴极的发展方向以及难点。

• 单位
  中国电子科技集团公司第五十五研究所; 东华理工大学