ⅢA族元素化合物微波介电性能的研究进展

作者：谢鸿远; 于泽宗; 尹长志; 舒龙龙; 李纯纯

来源：电子元件与材料, 2021, 40(06): 536-546.

DOI：10.14106/j.cnki.1001-2028.2021.1555

• 陶瓷
• 微波通信
• 综述
• 介电性能
• ⅢA族元素

微波介质陶瓷作为现代信息化产业高速发展过程中的热门电子材料,在数据通信领域中展示出了广泛的应用前景。在现有的微波陶瓷材料体系中,包含+4,+5价元素(Ti4+及Nb5+、Ta5+等)的氧化物体系已获得广泛的研究关注,而包含ⅢA族元素(B3+、Al3+、Ga3+等)的+3价体系研究相对较少。相比于+4,+5价氧化物体系,晶体结构方面,ⅢA族元素的离子半径小,主要以四面体基元构型;物性方面,ⅢA族元素的离子极化率较低,适合开发可应用于微波通信的低介电常数体系。本文以组分为分类依据,简述了不同ⅢA族元素氧化物微波介质陶瓷的研究现状,总结了ⅢA族元素氧化物的介电特性以及研究难点,并对其在低介领域的应用提出展望。

• 单位
  桂林理工大学; 南昌大学材料科学与工程学院