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摘要
本发明涉及一种基于埋氧化层的SiC#PNM#IGBT及其制备方法,其中,所述制备方法包括：选取SiC衬底；所述SiC衬底表面连续生长过渡层、第一N#漂移层、N+缓冲层和P+集电层；去除SiC衬底及过渡层；生长氧化层,并使所述氧化层填满沟槽；磨掉所述第一N#漂移层上的氧化物,保留沟槽内部的氧化层形成埋氧化层；在第一N#漂移层和所述埋氧化层表面继续生长第二N#漂移层；依次制备P型阱层、P+接触区、N+发射区和槽栅；制备集电极、发射极欧姆接触金属层和发射极肖特基接触金属层。本发明埋氧化层的引入相当于将栅极底部加粗,带来瓶颈效应,肖特基势垒抬高了P型基区的电势,二者均起到阻挡空穴的作用,增强了电导调制效应,使器件在大电流下具有较小的导通压降。
- 单位
