适用于顶部散热GaN器件的热测量开关损耗电路及方法

作者：于龙洋; 赵胜雷; 王中旭; 张进成; 郝跃

来源：2023-08-22, 中国, CN202311063096.1.

本发明公开了一种适用于顶部散热GaN器件的热测量开关损耗电路及方法,热测量开关损耗电路中,待测氮化镓器件T-1的漏极和辅助氮化镓器件T-3的漏极连接至电压源V-(DC)的正极,T-1的源极与辅助氮化镓器件T-2的漏极连接,T-3的源极与辅助氮化镓器件T-4的漏极连接,T-2、T-4的源极均连接至V-(DC)的负极,T-1的源极与T-2的漏极之间包括第一节点N-1,T-3的源极与T-4的漏极之间包括第二节点N-2,电感L的两端分别与N-1、N-2连接,电容C-(DC)与V-(DC)并联,T-1为顶部封装。本发明在利用热测量开关损耗电路测试时T-1的热量将会导入陶瓷基板,T-2、T-3和T-4的热量则由印刷电路板的底部散出,使得陶瓷基板有效提取到待测氮化镓器件T-1的损耗热,提高了待测氮化镓器件T1的热损耗测量精度。

• 单位
  西安电子科技大学