放电等离子烧结技术制备透明AlN陶瓷

作者：熊焰; 傅正义; 王玉成

来源：硅酸盐学报, 2005, (06): 753-757.

DOI：10.14062/j.issn.0454-5648.2005.06.019

• 氮化铝透明陶瓷
• 放电等离子烧结
• 透过率 transparent aluminum nitride ceramics
• spark plasma sintering
• transmittance

采用放电等离子烧结(sparkplasmasintering,SPS)技术,以CaF2为烧结助剂,在1850℃烧结15min,成功制备了透明AlN陶瓷。随着CaF2含量的增加,样品的密实度和透过率都随之提高。在CaF2含量为2.5%(质量分数)的AlN陶瓷样品的透光率最高(56.3%)。继续提高CaF2含量,样品密实度和透过率反而有所下降。SPS制备的纯AlN陶瓷样品中出现了颜色不均匀现象。与传统烧结方法比较,SPS制备的样品具有很高的致密度、纯度和良好的晶体结构。CaF2的加入降低了烧结温度,烧结时间短,提高了AlN陶瓷的透过率,是制备透明AlN陶瓷的有效烧结助剂。