化学气相沉积法制备氮化硼界面涂层的研究进展

作者：李琳琳; 李爱军; 彭雨晴; 李照谦; 汤哲鹏

来源：宇航材料工艺, 2016, 46(04): 8-28.

DOI：10.3969/j.issn.1007-2330.2016.04.002

• 界面相涂层
• 氮化硼
• 化学气相沉积
• 三氯化硼
• 氨气

阐述了BN界面的优异性能和CVD制备工艺的优缺点,主要介绍了CVD-BN制备过程中沉积温度、源气体比例、热处理温度等各因素的影响,指出CVD法是制备高品质BN界面涂层的优选方法。优化CVD工艺,对其制备原理进行深入研究,将是BN界面涂层研究的重点,获得特定结构、性能稳定、厚度可控的BN界面相涂层是CVD法制备BN界面相涂层的难点。

• 单位
  上海大学; 上海航天设备制造总厂