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摘要
本发明公开了一种InGaN纳米柱阵列基GSG型可调谐光电探测器及其制备方法。所述光电探测器包括由下至上的衬底、底层石墨烯层、InGaN纳米柱阵列和与纳米柱阵列间形成肖特基接触的顶层石墨烯层,还包括位于纳米柱阵列一侧的第一Au金属层电极,以及位于纳米柱阵列另一侧的阻隔底层和顶层石墨烯层接触的SiO-2绝缘层,且第一Au金属层电极和SiO-2绝缘层均位于底层石墨烯层上方,第二Au金属层电极与SiO-2绝缘层通过顶层石墨烯层隔开。所述光电探测器对近红外、可见光至紫外光具有高的灵敏探测,同时具有超快的响应时间以及超高的光响应度的特点(响应时间<80μs,响应度达到2.0×10～4 A/W)。
- 单位
