一种过渡族元素掺杂的室温铁磁性二维材料及制备方法

作者：吴幸; 王超伦; 骆晨

来源：2019-07-26, 中国, ZL201910680893.1.

本发明公开了一种过渡族元素掺杂的室温铁磁性二维材料及制备方法,该方法可以实现Fe元素均匀掺杂的二维V-(0.8)Fe-(0.2)Se-2纳米片的制备。该制备方法包括两步：第一步用化学气相输运方法制备V-(0.8)Fe-(0.2)Se-2块体单晶,第二步用液相剥离法将块体V-(0.8)Fe-(0.2)Se-2单晶减薄为二维V-(0.8)Fe-(0.2)Se-2纳米片。未掺杂的VSe-2块体材料没有磁性,掺杂后的二维V-(0.8)Fe-(0.2)Se-2纳米片具有室温铁磁性。具体步骤包括：1)称量符合摩尔比的元素单质密封在石英管的一端；2)通过化学气相输运生长块体V-(0.8)Fe-(0.2)Se-2单晶；3)用甲酰胺溶剂,采用液相剥离法将块体V-(0.8)Fe-(0.2)Se-2单晶减薄为二维V-(0.8)Fe-(0.2)Se-2纳米片。4)通过离心收集溶液中剥离的二维V-(0.8)Fe-(0.2)Se-2纳米片。本发明制备的二维V-(0.8)Fe-(0.2)Se-2纳米片掺杂均匀,具有室温铁磁性,在高性能自旋电子器件领域有广泛的应用前景。

• 单位
  华东师范大学