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摘要
本发明涉及一种金刚石上低阻欧姆接触的制备方法,包括：选取未有意掺杂的金刚石作为第一衬底层；在第一衬底层上沉积一层含有硅元素的预设薄膜；首先在预设系统中将固态氮化硼在第一预设温度下分解,以引入硼源,在第二预设温度下,在预设系统中对预设薄膜进行刻蚀,以使预设薄膜中的硅和预设系统内的硼扩散至第一衬底层中,得到第二衬底层；将第二衬底层在空气中进行静置,得到第三衬底层；在第三衬底层中的金刚石表面终端上沉积金属层,完成欧姆电阻的制备。本发明将预设薄膜作为硅源,并以固态氮化硼为硼源,通过硅和硼的扩散,实现金刚石中的硼硅共掺杂,然后沉积一层金属层,可直接形成良好的欧姆接触,降低了欧姆接触电阻。
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