激光热处理对硅锗芯石英包层光纤成分分布的影响

作者：何建; 陈娜; 陈振宜; 刘书朋; 商娅娜

来源：激光与光电子学进展, 2020, 1-13.

• 硅锗芯光纤
• 光纤材料
• 激光热处理
• 成分偏析
• 富硅均匀区

硅锗芯光纤因其在光电子领域极具应用潜力而备受关注。然而，硅锗合金在非平衡条件下凝固容易出现成分偏析，由光纤制备过程带来的成分分布不均匀问题，会导致很高的光纤损耗，从而成为制约其性能和应用的瓶颈。本文利用CO2激光对半圆柱硅棒和锗棒拼接法制备的硅锗芯石英包层光纤进行了热处理实验，研究了不同处理条件对纤芯成分分布的影响。实验结果表明，在激光扫描方向上的边缘区域可形成连续的富硅硅锗合金，并且越靠近激光扫描方向上的边缘区域，纤芯的成分分布越均匀。这为制备和优化硅锗芯光纤，实现纤芯均匀的成分分布提供了方法。

• 单位
  上海大学