红光发射GaN:Eu材料与器件研究进展

作者：王晓丹; 夏永禄; 韩晶晶; 毛红敏

来源：人工晶体学报, 2018, 47(10): 2064-2069.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2018.10.011

• GaN:Eu
• 材料制备
• 发光机理
• 器件

第三代宽禁带半导体材料氮化镓(GaN)以其优异的电学和光学性能受到了产业界和科研界的重视。稀土离子Eu掺杂GaN材料,既具备了稀土元素优异的光学性能,又充分发挥了半导体材料的优势,可用于制备新型红光LED器件。因此,对GaN:Eu材料的制备方法,发光机理及器件研究进展进行了总结,并对其未来发展趋势进行了展望。

• 单位
  数理学院; 苏州科技大学; 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所