一种三层EPI结构SGT MOSFET设计

作者：商世广; 郭雄雄; 张雨; 王洋菲; 俱帅

来源：西安邮电大学学报, 2023, 28(04): 36-43.

DOI：10.13682/j.issn.2095-6533.2023.04.005

• SGT MOSFET
• 三层EPI
• 品质因数
• 击穿电压
• 比导通电阻

提出了一种三层外延(Epitaxy, EPI)结构的屏蔽栅沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管(Shielded Gate Trench Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, SGT MOSFET)设计方案。利用Sentaurus TCAD工具，将单层EPI结构调整为三层EPI结构，通过控制变量法拉偏三层EPI结构的外延层厚度、电阻率等参数，仿真分析其参数变化对SGT MOSFET性能的影响。仿真结果表明，在相同的原胞尺寸条件下，与单层EPI结构SGT MOSFET相比，三层EPI结构SGT MOSFET通过横向电场调制作用降低了纵向电场的峰值，击穿电压提高9.5%,比导通电阻降低15.6%,有效地提高了器件的电学性能。

• 单位
  电子工程学院; 西安邮电大学