随着工艺节点的进步,SRAM中静态功耗占整个功耗的比例越来越大,纳米尺度的IC设计中,漏电流是一个关键问题。为了降低SRAM静态功耗,本文提出一种字线负偏压技术,并根据不同的工艺角,给出最合适的负偏压大小,使得SRAM漏电流得到最大程度的降低。仿真结果表明,SMIC 40nm工艺下,和未采用字线负偏压技术的6管SRAM存储单元相比,该技术在典型工艺角下漏电流降低11.8%,在慢速工艺角下漏电流降低能到达29.1%。
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