基于金属掺杂ITO透明导电层的紫外LED制备

作者：文如莲; 胡晓龙; 高升; 梁思炜; 王洪^*

来源：发光学报, 2018, 39(12): 1735-1742.

• ITO
• 掺金属
• 薄膜带隙
• 紫外LED

为降低ITO薄膜对紫外波段的光吸收,制备低电压高功率的紫外LED,研究了一种基于金属掺杂ITO透明导电层的365nm紫外LED的制备工艺。利用1cm厚的石英片生长了不同厚度ITO薄膜以及在ITO上掺杂不同金属的新型薄膜,并研究了在不同的退火条件下这种薄膜的电阻和透过率,分析了掺杂金属ITO薄膜的带隙变化。将这种掺杂的ITO薄膜生长在365nm外延片上并完成电极生长,制备成14mil×28mil的正装LED芯片。利用电致发光(EL)设备对LED光电性能进行测试并对比。实验结果表明:掺Al金属的ITO薄膜能够相对ITO薄膜的带隙提高0.15eV。在600℃退火后,方块电阻降低6.2Ω/□,透过率在356nm处达到90.8%。在120mA注入电流下,365nmLED的电压降低0.3V,功率提高14.7%。ITO薄膜掺金属能够影响薄膜带隙,改变紫光LED光电性能。

• 单位
  广州现代产业技术研究院; 华南理工大学