摘要
提出一种基于有源电路的基极镇流方案,用以解决射频功率晶体管的电流集中和热稳定性问题。采用传感器检测非均匀结温分布,后级相邻触发电路触发功率器件子单元基极和发射极之间的镇流MOS管,通过分流来缓解电流集中,进而完成器件子单元的过温保护。模拟结果表明,该方案可以有效地实现对功率器件的保护,与传统的无源镇流电阻方法相比,改进后的器件具有更优良的增益特性。单个有源镇流电路仅消耗功率6.5 mW,占用面积为2 530μm2。
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单位电子薄膜与集成器件国家重点实验室; 电子科技大学; 通信与信息工程学院