P-AlInP限制层掺杂对AlGaInP红光LED发光亮度影响

作者：高文浩; 冯彦斌; 李维环; 吴超瑜; 高鹏; 付贤松; 宁振动^*

来源：固体电子学研究与进展, 2019, 39(02): 127-154.

DOI：10.19623/j.cnki.rpsse.2019.02.011

• P掺杂
• 发光二极管
• 发光强度

针对四元系AlGaInP红光发光二极管在制备过程中,材料的掺杂特性对于器件性能影响巨大,尤其是AlInP限制层材料的掺杂,对于器件光电性能具有明显的影响。在实际生产过程中P型掺杂浓度的波动非常大,明显影响到红光LED的发光均匀性。从不同的AlInP限制层P型掺杂浓度与LED发光亮度的关系入手,探索研究AlInP限制层P型掺杂浓度对LED发光亮度影响的规律,所得研究结果对于LED的器件结构设计以及MOCVD外延材料生长有一定的指导意义。

• 单位
  厦门大学; 天津三安光电有限公司; 天津工业大学