温度和氯源对大功率IGBT栅氧工艺的影响

作者：张泉; 刘国友; 黄建伟

来源：大功率变流技术, 2015, (06): 41-44.

DOI：10.13889/j.issn.2095-3631.2015.06.009

• IGBT
• 栅氧工艺
• 栅氧电荷
• 氧化温度
• 氯源

采用C-V测试技术对大功率IGBT栅氧制备工艺中常用的两种栅氧生长方法——干氧和湿氧进行了研究,重点分析了氧化温度和氯源对栅氧化层工艺质量的影响,特别是对栅氧化层固定电荷和界面陷阱电荷的影响。研究结果表明:在1 0001 150℃温度区间,非掺氯干氧通过高温氮气退火处理可获得好的固定电荷密度(Nss)特性,氧化温度对Nss影响很小,但对于掺氯干氧,当氧化温度超过1 050℃时,Nss会明显增大;通过450℃氢退火处理,可将干氧的界面陷阱电荷密度(Dit)控制在较低范围内,氧化温度和氯源对干氧的Dit影响不明显;在8501 000℃温度区间,湿氧无法通过高温氮气退火和450℃氢退火处理而同时获得好的Nss和Dit特性,氧化温度和氯源对Nss和D_(it_的影响较干氧的明显。

• 单位
  株洲南车时代电气股份有限公司