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摘要
本发明公开了一种Si衬底InGaN可见光探测器及制备方法与应用,所述探测器包括从下到上依次排布的Si衬底、缓冲层、InGaN功能层和Ni/Au金属层电极,所述缓冲层为从下到上依次排布的AlN层、AlGaN层和GaN层；在Si衬底上外延生长缓冲层,在缓冲层上生长InGaN功能层；在InGaN功能层上表面进行光刻,确定电极形状,将Ni/Au金属层电极蒸镀在InGaN功能层上表面。优化探测器件的芯片参数,提升了可见光波段的量子效率；在探测芯片表面进行可见光增敏微纳结构设计,有效降低表面对可见光的反射损耗,增强可见光谐振吸收,实现高灵敏度高带宽探测。
- 单位
