Cl_2基气体感应耦合等离子体刻蚀GaN的工艺

刘北平; 李晓良; 朱海波

摘要

采用Cl2/He对GaN基片进行感应耦合等离子体刻蚀,并比较了相同条件下使用Cl2/He,Cl2/Ar对GaN基片进行刻蚀的优劣.实验中通过改变ICP功率、直流自偏压、气体总流量和气体组分等方式,讨论了这些因素对刻蚀速率和刻蚀后表面粗糙度的影响.实验结果表明,用Cl2/He气体刻蚀GaN材料可以获得较高的刻蚀速率,最高可达420nm/min.同时刻蚀后GaN材料的表面形貌也较为平整,均方根粗糙度(RMS)可达1nm以下.SEM图像显示刻蚀后表面光洁,刻蚀端面陡直.最后比较了相同条件下使用Cl2/He,Cl2/Ar刻蚀GaN基片的刻蚀速率、表面形貌,以及制作n型电极后的比接触电阻.

单位
信息功能材料国家重点实验室; 中国科学院上海微系统与信息技术研究所; 中国科学院研究生院

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更新时间：2020-06-17 22:12

Cl_2基气体感应耦合等离子体刻蚀GaN的工艺

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