柔性倒置赝型三结太阳电池高能质子辐射效应研究（英文）

作者：张延清; 周佳明; 刘超铭^*; 施祥蕾; 杨洋; 焦小雨; 孙利杰; 王训春; 肖立伊; 王天琦; 霍明学

来源：原子能科学技术, 2021, 55(12): 2216-2223.

• IMM3J太阳电池
• 辐射效应
• 位移损伤剂量

为考察柔性薄膜GaInP/GaAs/InGaAs倒赝型三结(IMM3J)太阳电池的抗辐照性能,本文对其进行了1、3、5 MeV高能质子辐照。SRIM模拟结果表明,1、3、5 MeV质子辐照在IMM3J电池中造成均匀的位移损伤。光特性(LIV)结果表明,开路电压(Voc)、短路电流(Isc)和最大输出功率(Pmax)与质子注量呈对数退化规律。通过非电离能量损失(NIEL)将不同能量质子的注量转化为位移损伤剂量(DDD),结果显示,Voc和Pmax与DDD呈对数退化规律,而Isc遵循两种不同的退化规律。光谱响应测试证明,GaInP子电池具有优异的抗辐照性能,3个子电池中InGaAs(1.0 eV)子电池的抗辐照性能最差。

• 单位
  上海空间电源研究所; 哈尔滨工业大学