利用有机-无机杂化钙钛矿材料兼有机材料的易加工性和无机半导体优异的载流子迁移率的特点,采用有机-无机杂化MAPbI3材料制备薄膜晶体管的有源层。利用两步旋涂法,通过控制MAI溶液的浓度定量化控制成膜,制备薄膜晶体管有源层。由该层组成的有机-无机杂化MAPbI3钙钛矿型的薄膜晶体管具有明显的电场效应,场效应迁移率可达到0.97 cm2/(V·s),工艺简单、加工温度低,而且适用于柔性显示。
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