半导体Si载流子迁移率的统计模型计算模拟

作者：罗衡; 邓联文; 易图林; 黄生祥; 胡照文; 周克省

来源：材料导报, 2011, (02): 112-115.

• 半导体Si
• 载流子迁移率
• 玻耳兹曼方程
• 计算模拟 semiconductor Si
• carrier mobility
• Boltzmann statistical equation
• calculation simulation

半导体材料载流子迁移率是表征其电导特性的重要参数,在半导体材料载流子散射机制理论基础上,基于玻耳兹曼方程和Mathiessen规则,通过对具有不同热运动速度的载流子漂移速度求统计平均值,建立了Si材料载流子迁移率的玻耳兹曼统计模型,计算了模拟载流子迁移率的影响因素和变化规律,并得出电场作用下的饱和漂移速度为vdn=1.1×107cm/s,vdp=8.7×106cm/s,与基于实验数据的经验公式导出的结果基本一致,表明玻耳兹曼统计模型具有良好的适用性。

• 单位
  中国人民解放军空军预警学院; 中南大学; 粉末冶金国家重点实验室