掺铟氧化锌纳米阵列的制备、结构及性质研究

作者：李会峰; 黄运华; 张跃; 高祥熙; 赵婧; 王建

来源：Acta Physica Sinica, 2009, (04): 2702-2706.

• In掺杂
• ZnO
• 纳米阵列
• 光致发光 In-doped ZnO
• nanoarrays
• photoluminescence
• Raman

通过碳热辅助化学气相沉积法,用Au做催化剂在850℃下制备了铟掺杂的氧化锌(In/ZnO)纳米阵列.纳米棒的尺寸均匀,表面光滑,直径约为400nm,长为2—3μm.能量色散谱和X射线光电子能谱分析表明,六棱柱状的纳米阵列中成功地进行了In的掺杂,含量约为0.8%.室温光致发光谱显示掺杂后的紫外发射峰位有红移,峰的半高宽变大,没有观察到绿光发射峰位.拉曼光谱显示出ZnO的峰位有不同程度的偏移,并且有新的峰位出现,这表明In的掺杂有效地取代了部分Zn的晶格.

• 单位
  北京科技大学; 新金属材料国家重点实验室