Ga₂O₃薄膜晶体管的制备方法

作者：张春福; 许育; 张进成; 郝跃; 常晶晶; 于雪婷; 吴艺聪; 张力鑫

来源：2017-11-17, 中国, ZL201711153166.7.

本发明公开了一种Ga2O3薄膜晶体管的制备方法,主要解决现有技术生长薄膜不均匀,原材料利用率低,反应温度高和制作过程复杂难于控制的问题。其实现方案是：1.配制前体Ga(NO3)3水溶液；2.清洗氧化硅硅片并进行表面除污；3.在清洗后的氧化硅硅片上旋涂前体Ga(NO3)3水溶液；4.将旋涂了前体Ga(NO3)3水溶液的硅片样品进行退火形成Ga2O3薄膜；5.在退火后的Ga2O3薄膜上制作金属电极,完成Ga2O3薄膜晶体管的制作。本发明简单易于实现,仅需要较低的合成温度就能在短时间内获得分子水平的均匀性,电学测试表明,用本发明制作的晶体管电学特性良好,可用于深紫外探测器。

• 单位
  西安电子科技大学