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摘要
利用磁控共溅射法,在不同溅射功率下向Ti O2薄膜中掺Al,研究了Ti O2薄膜层光学性质、晶体结构和禁带宽度的变化。将Al-Ti O2薄膜浸入N719染料,制备成染料敏化太阳电池,测试电池的I-V特性,结果表明:Ti O2半导体层的禁带宽度与染料敏化太阳电池的开路电压有相同的变化趋势;掺Al后,太阳电池的短路电流及光电转换效率均有所提高,在掺铝功率为5 W时尤为显著。
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利用磁控共溅射法,在不同溅射功率下向Ti O2薄膜中掺Al,研究了Ti O2薄膜层光学性质、晶体结构和禁带宽度的变化。将Al-Ti O2薄膜浸入N719染料,制备成染料敏化太阳电池,测试电池的I-V特性,结果表明:Ti O2半导体层的禁带宽度与染料敏化太阳电池的开路电压有相同的变化趋势;掺Al后,太阳电池的短路电流及光电转换效率均有所提高,在掺铝功率为5 W时尤为显著。
