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摘要
采用反应射频磁控溅射法，在Al2O3陶瓷基片上通过共溅射的方式成功制备了Al-TaN和Ti-TaN薄膜，并通过调节Al和Ti靶的溅射功率以实现了掺杂，研究了掺杂元素变化对薄膜微观结构和电学性能的影响。结果显示，随着掺杂元素Al和Ti的增加，TaN薄膜的粗糙度逐渐增大，晶体结构逐渐向非晶转变；Al元素掺杂时，当Al靶掺杂功率由0 W升至70 W，薄膜电阻率由0.88 mΩ·cm增至82.72 mΩ·cm;Ti元素掺杂时，当Ti靶掺杂功率由0 W升至70 W，电阻率由1.03 mΩ·cm降至0.32 mΩ·cm。此时，随着Al和Ti靶材掺杂功率由0 W升至70 W，薄膜的TCR值分别从-1 313×10-6℃-1逐渐负偏至-3 831×10-6℃-1和从-1 322×10-6℃-1正偏至-404×10-6℃-1。该研究为溅射制备掺杂TaN薄膜提供了深刻的理论和实验基础。
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