以Mg2Si烧结靶为靶材,采用磁控溅射法在Si、石英和Al2O3衬底上先沉积一层Mg2Si非晶薄膜,再进行退火处理,研究了衬底类型、退火温度及退火时间对Mg2Si多晶薄膜结构的影响。结果表明:Si、石英、Al2O3三种衬底上Mg2Si薄膜的最优退火温度和退火时间均为350°C和1 h。Al2O3衬底上的Mg2Si薄膜结晶质量最佳, Si衬底上的薄膜次之,石英衬底上的薄膜结晶质量最不理想,分析表明这种差异主要源于衬底与薄膜之间的热失配不同。
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