脉冲激光沉积技术制备IrO_2薄膜的研究

作者：夏明祥; 王传彬; 公衍生; 沈强; 张联盟

来源：稀有金属材料与工程, 2006, (05): 820-823.

• 氧化铱薄膜
• 脉冲激光沉积
• 电阻率 IrO2 thin film
• pulsed laser deposition
• resistivity

利用脉冲激光沉积(PLD)技术,在Si(100)衬底上制得了导电氧化铱(IrO2)薄膜。讨论了沉积参数(O2分压、衬底温度)对IrO2薄膜的结构、表面形貌和导电性的影响。结果表明:20Pa为最佳O2分压、400℃~500℃为适宜的沉积温度,此条件下制得的IrO2薄膜结晶完整,组织均匀、形状一致,排列致密,其最低电阻率约为42μ?·cm。

• 单位
  材料复合新技术国家重点实验室; 武汉理工大学