AlGaN/GaN异质结构中二维电子气的高温输运性质

作者：陶春旻; 陶亚奇; 陈诚; 孔月婵; 陈敦军; 沈波; 焦刚; 陈堂胜; 张荣; 郑有炓

来源：Pan Tao Ti Hsueh Pao/chinese Journal of Semiconductors, 2006, (07): 1251-1254.

• AlGaN/GaN异质结构
• 二维电子气
• 高温输运 AlGaN/GaN heterostructure
• 2DEG
• high-temperature transport

采用高温Hall测量仪对一个全应变和一个部分应变弛豫的AlGaN/GaN异质结构中2DEG的高温输运特性进行了研究,温度变化范围从室温到680K.研究结果表明:在高温段2DEG的迁移率主要受LO声子散射限制;在室温,异质界面处的非均匀压电极化场对2DEG迁移率的散射也是一个主要的散射机制.同时,计算结果显示,随着温度升高,更多的电子跃迁到更高的子带,在更高的子带,其波函数逐渐扩展到AlGaN层内部以及GaN体内更深的位置,导致LO声子散射的屏蔽效应减弱且来自AlGaN层内的合金无序散射增强.

• 单位
  人工微结构和介观物理国家重点实验室; 北京大学; 物理学院