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摘要
本发明公开了一种基于铁电掺杂的场效应晶体管,主要解决现有基于离子注入掺杂的场效应晶体管在纳米尺寸下性能和可靠性差的问题。其自下而上包括衬底(1)、绝缘介质层(2)、栅电极(5),该绝缘介质层的左侧和右侧自下而上分别布有源区极化铁电层(4)、源区极化电极(6)和漏区极化铁电层(3)、漏区极化电极(7),该衬底的左、右侧分别布有源、漏电极(8)和(9),当源、漏区极化电极上施加有极性相同的脉冲电压后,在源、漏区极化铁电层的正下方形成源、漏区(10)和(11)。本发明避免了因离子碰撞引起的晶格缺陷、掺杂剂原子随机分布及杂质离子横向热扩散,提高了纳米级器件的性能和可靠性,可用于制作大规模集成电路。
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