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摘要
本发明涉及一种铜铜键合制作通道型标准漏孔的方法,包括以下步骤：利用氧等离子体对清洁后的硅片基底进行轰击处理；在硅片基底表面旋涂一层AZ-5530光刻胶,曝光显影后,在光刻胶表面形成矩形沟槽结构；利用反应离子刻蚀技术实现光刻胶图形向硅片基底转移；利用激光加工技术将硅片基底切割成一矩形,并利用磁控溅射镀膜在硅片基底上沉积一层铜膜；另取直径48.75mm的铜板,其上加工出矩形凸台,并在凸台表面加工出一个直径6mm的通孔,并对铜板表面进行预处理；将硅片基底和铜板放入键合机中,利用铜铜键合实现二者的封接,完成标准漏孔的制作。本发明制得的标准漏孔尺寸可控,本底漏率低,能够实现宽压强范围内的气体分子流传输。
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