用混合氧化物法制备掺杂CoO,Ta2O5,MnO2和Cr2O5的SnO2压敏陶瓷。研究了MnO2掺杂对SnO2微观结构和电学性能的影响。通过阿伦尼乌斯图揭示其在低频与高频中产生了不同的活化能,这些活化能与氧在晶界面的吸附和反应有关。我们发现MnO2提升了压敏电阻的非线性,在晶界区产生了O′和O″的吸附位点。O′和O″缺陷是晶界界面形成势垒的真正原因。