SnO2压敏电阻的非线性电学行为与MnO2添加的关系

作者:吴宇航; 赵洪峰; 范少华; 杨兴; 谢清云
来源:电瓷避雷器, 2023, (03): 136-140.
DOI:10.16188/j.isa.1003-8337.2023.03.019

摘要

用混合氧化物法制备掺杂CoO,Ta2O5,MnO2和Cr2O5的SnO2压敏陶瓷。研究了MnO2掺杂对SnO2微观结构和电学性能的影响。通过阿伦尼乌斯图揭示其在低频与高频中产生了不同的活化能,这些活化能与氧在晶界面的吸附和反应有关。我们发现MnO2提升了压敏电阻的非线性,在晶界区产生了O′和O″的吸附位点。O′和O″缺陷是晶界界面形成势垒的真正原因。

  • 单位
    电力系统及大型发电设备安全控制和仿真国家重点实验室; 新疆大学

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