一种金属氧化物半导体及薄膜晶体管与应用

作者：徐苗; 徐华; 李民; 彭俊彪; 王磊; 邹建华; 陶洪

来源：2020-09-25, 中国, ZL202011027359.X.

本发明公开了一种金属氧化物半导体,该金属氧化物半导体为：在含铟的金属氧化物MO-In2O3半导体中掺入少量稀土氧化物RO作为光生载流子转换中心,形成（In2O3）x（MO）y（RO）z半导体材料,其中,x+y+z＝1,0.5≤x＜0.9999,0≤y＜0.5,0.0001≤z≤0.2。本发明通过在含铟的金属氧化物中引入稀土氧化物以形成的金属氧化物半导体,通过利用稀土氧化物中稀土离子半径和氧化铟中的铟离子半径相当的特性以及稀土离子中4f轨道电子结构和铟离子的5s轨道能形成高效的电荷转换中心,以提高其电学稳定性,特别是光照下的稳定性。本发明还提供基于该金属氧化物半导体的薄膜晶体管与应用。

• 单位
  华南理工大学